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FF150R12KS4 Especificaciones
Fabricante: Infineon
Categoría de productos: Módulos IGBT
RoHS: Detalles
Productos: Módulos de silicio IGBT
Configuración: Doble
Tensión colector-emisor VCEO Máx: 1,2 kV
Tensión de saturación colector-emisor: 3,2 V
Corriente continua de colector a 25 C: 225 A
Corriente de fuga puerta-emisor: 400 nA
Pd - Potencia disipada: 1,25 kW
Envase/Caja: 62 mm
Temperatura mínima de funcionamiento: - 40 C
Temperatura máxima de funcionamiento: + 125 C
Embalaje: Bandeja
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30,5 mm
Longitud: 106,4 mm
Tensión máxima del emisor de puerta: 20 V
Estilo de montaje: Montaje en chasis
Tipo de producto: Módulos IGBT
Serie: IGBT2 Rápido
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Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Si
Anchura: 61,4 mm
Parte # Aliases: SP000100706 FF150R12KS4HOSA1
Peso por unidad: 340 g
descripción_de_sus_requisitos: