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FF150R12KS4 Especificação
Fabricante: Infineon
Categoria do produto: Módulos IGBT
RoHS: Detalhes
Produto: Módulos de silício IGBT
Configuração: Dupla
Tensão coletor-emissor VCEO Máx: 1,2 kV
Tensão de saturação coletor-emissor: 3,2 V
Corrente contínua do coletor a 25 C: 225 A
Corrente de fuga porta-emissor: 400 nA
Pd - Dissipação de potência: 1,25 kW
Embalagem/Caixa: 62 mm
Temperatura mínima de funcionamento: - 40 C
Temperatura máxima de funcionamento: + 125 C
Embalagem: Tabuleiro
Marca: Infineon Technologies
Altura: 30,5 mm
Comprimento: 106,4 mm
Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
Estilo de montagem: Montagem no chassis
Tipo de produto: Módulos IGBT
Série: IGBT2 Rápido
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Subcategoria: IGBTs
Tecnologia: Si
Largura: 61,4 mm
Parte # Outros nomes: SP000100706 FF150R12KS4HOSA1
Peso unitário: 340 g
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