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Spécification du FF150R12KS4
Fabricant : Infineon
Catégorie de produit : Modules IGBT
RoHS : Détails
Produit : Modules de silicium IGBT
Configuration : Double
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : 1,2 kV
Tension de saturation collecteur-émetteur : 3,2 V
Courant de collecteur continu à 25 C : 225 A
Courant de fuite porte-émetteur : 400 nA
Pd - Dissipation de puissance : 1,25 kW
Emballage/caisse : 62 mm
Température minimale de fonctionnement : - 40 C
Température de fonctionnement maximale : + 125 C
Emballage : Plateau
Marque : Infineon Technologies
Hauteur : 30,5 mm
Longueur : 106,4 mm
Tension maximale de l'émetteur de grille : 20 V
Style de montage : Montage sur châssis
Type de produit : Modules IGBT
Série : IGBT2 Rapide
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Sous-catégorie : IGBT
Technologie : Si
Largeur : 61,4 mm
Partie # Alias : SP000100706 FF150R12KS4HOSA1
Poids de l'unité : 340 g
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