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量:
FF150R12KS4 仕様
メーカーインフィニオン
製品カテゴリーIGBTモジュール
RoHS: 詳細
製品IGBTシリコンモジュール
コンフィギュレーションデュアル
コレクタ・エミッタ間電圧 VCEO 最大：1.2 kV
コレクタ・エミッタ飽和電圧: 3.2 V
連続コレクタ電流（25℃）：225 A
ゲート・エミッタ漏れ電流：400 nA
Pd - 許容損失：1.25 kW
パッケージ/ケース: 62 mm
最低動作温度： - 40
最高使用温度+ 125 C
パッケージトレイ
ブランドインフィニオン・テクノロジーズ
高さ：30.5mm
長さ：106.4mm
最大ゲート・エミッタ電圧：20 V
マウントスタイルシャーシマウント
製品タイプIGBTモジュール
シリーズIGBT2 高速
10
サブカテゴリーIGBT
テクノロジーSi
幅：61.4mm
部品 # エイリアスSP000100706 FF150R12KS4HOSA1
本体重量: 340 g
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